z

Ang Korea Institute of Photonics Technology Nakahimo og Bag-ong Pag-uswag sa Luminous Efficiency sa Micro LED

Sumala sa bag-ong mga report gikan sa South Korean media, ang Korea Photonics Technology Institute (KOPTI) nagpahibalo sa malampusong pag-uswag sa episyente ug pino nga teknolohiya sa Micro LED. Ang internal quantum efficiency sa Micro LED mahimong mapadayon sulod sa range nga 90%, bisan unsa pa ang gidak-on sa chip o lain-laing injection current densities.

韩国microLED技术1

20μm Micro LED curve sa kuryente ug boltahe ug imahe sa emisyon (kredito sa imahe: KOPTI)

Kining Micro LED nga teknolohiya giumol sa grupo ni Dr. Jong hyup Baek gikan sa Optical Semiconductor Display Department, ang grupo ni ZOGAN Semi nga gipangulohan ni Dr. Woong ryeol Ryu, ug si Professor Jong in Shim gikan sa Department of Nano-Optoelectronics sa Hanyang University. Ang produkto nagtubag sa isyu sa paspas nga pagkunhod sa efficiency sa light emission sa mga Micro LED tungod sa pagkunhod sa gidak-on sa chip ug pagtaas sa injection currents.

Teknolohiya nga microledMicroLED1MicroLED1

Nakaplagan nga ang mga Micro LED nga ubos sa 20μm ang gidak-on dili lamang makasinati og paspas nga pagkunhod sa efficiency sa light emission apan nagpakita usab og dakong non-radiative recombination losses sulod sa ubos nga current range (0.01A/cm² ngadto sa 1A/cm²) nga gikinahanglan alang sa pagpadagan sa mga display panel. Sa pagkakaron, ang industriya partially nga nagpamenos niini nga isyu pinaagi sa mga proseso sa passivation sa bahin sa chip, apan dili kini sukaranan nga makasulbad sa problema.

 

韩国microled技术2

 

Ang internal quantum efficiency (IQE) sa 20μm ug 10μm blue Micro LED managlahi sumala sa current density.

Gipasabot sa KOPTI nga ang research team nakakunhod sa strain sa epitaxial layer ug nakapauswag sa light emission efficiency pinaagi sa pagpatuman sa usa ka bag-ong istruktura. Kini nga bag-ong istruktura nagpugong sa physical stress variations sa Micro LED ubos sa bisan unsang external electric field o istruktura. Tungod niini, bisan sa mas gamay nga Micro LED size, ang bag-ong istruktura nakakunhod pag-ayo sa surface non-radiative recombination losses samtang gipadayon ang taas nga light emission efficiency nga wala magkinahanglan og passivation processes.

Malampusong napamatud-an sa team ang paggamit sa episyente ug pino nga teknolohiya sa Micro LED sa asul, gallium nitride green, ug pula nga mga aparato. Sa umaabot, kini nga teknolohiya adunay potensyal sa paghimo og full-color gallium nitride Micro LED displays.


Oras sa pag-post: Oktubre-30-2023