ອີງຕາມລາຍງານຫຼ້າສຸດຈາກສື່ມວນຊົນເກົາຫຼີໃຕ້, ສະຖາບັນເຕັກໂນໂລຊີໂຟໂຕນິກເກົາຫຼີ (KOPTI) ໄດ້ປະກາດການພັດທະນາເຕັກໂນໂລຊີ Micro LED ທີ່ມີປະສິດທິພາບ ແລະ ລະອຽດ. ປະສິດທິພາບດ້ານຄວອນຕຳພາຍໃນຂອງ Micro LED ສາມາດຮັກສາໄວ້ໄດ້ພາຍໃນຂອບເຂດ 90%, ໂດຍບໍ່ຄຳນຶງເຖິງຂະໜາດຂອງຊິບ ຫຼື ຄວາມໜາແໜ້ນຂອງກະແສໄຟຟ້າສີດທີ່ແຕກຕ່າງກັນ.

ເສັ້ນໂຄ້ງກະແສໄຟຟ້າ-ແຮງດັນ Micro LED 20μm ແລະ ຮູບພາບການປ່ອຍແສງ (ເຄຣດິດຮູບພາບ: KOPTI)

ເທັກໂນໂລຢີ Micro LED ນີ້ໄດ້ຮັບການພັດທະນາຮ່ວມກັນໂດຍທີມງານຂອງ ດຣ. Jong hyup Baek ຈາກພະແນກສະແດງຜົນ Optical Semiconductor, ທີມງານ ZOGAN Semi ນຳໂດຍ ດຣ. Woong ryeol Ryu, ແລະ ອາຈານ Jong in Shim ຈາກພະແນກ Nano-Optoelectronics ທີ່ມະຫາວິທະຍາໄລ Hanyang. ຜະລິດຕະພັນດັ່ງກ່າວແກ້ໄຂບັນຫາປະສິດທິພາບການປ່ອຍແສງທີ່ຫຼຸດລົງຢ່າງໄວວາໃນ Micro LEDs ເນື່ອງຈາກຂະໜາດຊິບທີ່ຫົດຕົວລົງ ແລະ ກະແສໄຟຟ້າສີດທີ່ເພີ່ມຂຶ້ນ.

ໄດ້ພົບເຫັນວ່າ Micro LEDs ທີ່ມີຂະໜາດຕ່ຳກວ່າ 20μm ບໍ່ພຽງແຕ່ມີປະສິດທິພາບການປ່ອຍແສງຫຼຸດລົງຢ່າງໄວວາເທົ່ານັ້ນ ແຕ່ຍັງສະແດງໃຫ້ເຫັນເຖິງການສູນເສຍການລວມຕົວທີ່ບໍ່ແມ່ນລັງສີທີ່ສຳຄັນພາຍໃນຂອບເຂດກະແສໄຟຟ້າຕ່ຳ (0.01A/cm² ຫາ 1A/cm²) ທີ່ຕ້ອງການສຳລັບການຂັບເຄື່ອນໜ້າຈໍສະແດງຜົນ. ປະຈຸບັນ, ອຸດສາຫະກຳຫຼຸດຜ່ອນບັນຫານີ້ໄດ້ບາງສ່ວນຜ່ານຂະບວນການ passivation ໃນດ້ານຊິບ, ແຕ່ມັນບໍ່ໄດ້ແກ້ໄຂບັນຫາໄດ້ໂດຍພື້ນຖານ.

ປະສິດທິພາບດ້ານຄວອນຕຳພາຍໃນ (IQE) ຂອງໄຟ LED ຂະໜາດ 20μm ແລະ 10μm ສີຟ້າແຕກຕ່າງກັນໄປຕາມຄວາມໜາແໜ້ນຂອງກະແສໄຟຟ້າ

KOPTI ອະທິບາຍວ່າທີມງານຄົ້ນຄວ້າໄດ້ຫຼຸດຜ່ອນຄວາມເຄັ່ງຕຶງໃນຊັ້ນ epitaxial ແລະປັບປຸງປະສິດທິພາບການປ່ອຍແສງໂດຍການຈັດຕັ້ງປະຕິບັດໂຄງສ້າງໃໝ່. ໂຄງສ້າງໃໝ່ນີ້ສະກັດກັ້ນການປ່ຽນແປງຄວາມກົດດັນທາງກາຍະພາບຂອງ Micro LED ພາຍໃຕ້ສະໜາມໄຟຟ້າພາຍນອກ ຫຼືໂຄງສ້າງໃດໆ. ດັ່ງນັ້ນ, ເຖິງແມ່ນວ່າຈະມີຂະໜາດ Micro LED ທີ່ນ້ອຍກວ່າ, ໂຄງສ້າງໃໝ່ນີ້ຍັງຫຼຸດຜ່ອນການສູນເສຍການລວມຕົວທີ່ບໍ່ແມ່ນລັງສີຂອງພື້ນຜິວຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ ໃນຂະນະທີ່ຮັກສາປະສິດທິພາບການປ່ອຍແສງສູງໂດຍບໍ່ຈຳເປັນຕ້ອງມີຂະບວນການ passivation.

ທີມງານໄດ້ຢືນຢັນການນຳໃຊ້ເຕັກໂນໂລຊີ Micro LED ທີ່ມີປະສິດທິພາບ ແລະ ລະອຽດອ່ອນໃນອຸປະກອນສີຟ້າ, ສີຂຽວ gallium nitride, ແລະ ສີແດງຢ່າງສຳເລັດຜົນ. ໃນອະນາຄົດ, ເຕັກໂນໂລຊີນີ້ມີທ່າແຮງໃນການຜະລິດຈໍສະແດງຜົນ Micro LED gallium nitride ທີ່ມີສີສັນຄົບຖ້ວນ.