Selon dènye rapò ki soti nan medya Kore di Sid, Enstiti Teknoloji Fotonik Koreyen an (KOPTI) anonse devlopman avèk siksè yon teknoloji Mikwo LED efikas e rafine. Efikasite kwantik entèn Mikwo LED la ka kenbe nan yon seri 90%, kèlkeswa gwosè chip la oswa diferan dansite kouran enjeksyon yo.

Koub kouran-vòltaj mikwo LED 20μm ak imaj emisyon (kredi imaj: KOPTI)

Teknoloji Mikwo LED sa a te devlope ansanm pa ekip Dr. Jong hyup Baek nan Depatman Ekspozisyon Semi-kondiktè Optik, ekip ZOGAN Semi ki dirije pa Dr. Woong ryeol Ryu, ak Pwofesè Jong in Shim nan Depatman Nano-Optoelektwonik nan Inivèsite Hanyang. Pwodwi a adrese pwoblèm efikasite emisyon limyè ki diminye rapidman nan Mikwo LED yo akòz rediksyon gwosè chip yo ak ogmantasyon kouran enjeksyon yo.

Yo dekouvri ke Mikwo LED ki anba 20μm yo pa sèlman fè eksperyans yon diminisyon rapid nan efikasite emisyon limyè, men tou, yo montre pèt rekombinasyon non-radyatif siyifikatif nan seri kouran ki ba (0.01A/cm² a 1A/cm²) ki nesesè pou kontwole panno ekspozisyon yo. Kounye a, endistri a diminye pwoblèm sa a pasyèlman atravè pwosesis pasivasyon sou bò chip la, men sa pa rezoud pwoblèm nan fondamantalman.

Efikasite kwantik entèn (IQE) mikwo LED ble 20μm ak 10μm lan varye selon dansite kouran an.

KOPTI eksplike ke ekip rechèch la te diminye tansyon nan kouch epitaksyal la epi amelyore efikasite emisyon limyè a lè yo aplike yon nouvo estrikti. Nouvo estrikti sa a siprime varyasyon estrès fizik Micro LED la anba nenpòt chan elektrik ekstèn oswa estrikti. Kòm rezilta, menm avèk yon gwosè Micro LED ki pi piti, nouvo estrikti a diminye anpil pèt rekombinasyon sifas ki pa radyatif pandan l ap kenbe yon efikasite emisyon limyè ki wo san yo pa bezwen pwosesis pasivasyon.

Ekip la te reyisi valide aplikasyon teknoloji Micro LED efikas e rafine nan aparèy ble, nitrid galyòm, vèt ak wouj. Nan lavni, teknoloji sa a gen potansyèl pou pwodui ekran Micro LED nitrid galyòm tout koulè.