Согласно недавним сообщениям южнокорейских СМИ, Корейский институт фотонных технологий (KOPTI) объявил об успешной разработке эффективной и точной технологии микросветодиодов. Внутренняя квантовая эффективность микросветодиодов может поддерживаться в диапазоне 90% независимо от размера кристалла или плотности тока инжекции.

График зависимости тока от напряжения и излучения микросветодиода 20 мкм и изображение излучения (изображение предоставлено KOPTI)

Эта технология микросветодиодов была совместно разработана командой доктора Чон Хёп Бэка из отдела оптических полупроводниковых дисплеев, командой ZOGAN Semi под руководством доктора Ун Рёль Рю и профессором Чон Ин Шимом из отдела нанооптоэлектроники Университета Ханьян. Этот продукт решает проблему быстрого снижения эффективности излучения света микросветодиодов из-за уменьшения размеров кристаллов и увеличения токов инжекции.

Было обнаружено, что микросветодиоды размером менее 20 мкм не только испытывают быстрое снижение эффективности излучения света, но и демонстрируют значительные потери на безызлучательную рекомбинацию в диапазоне низких токов (от 0,01 А/см² до 1 А/см²), необходимых для управления дисплеями. В настоящее время отрасль частично смягчает эту проблему с помощью пассивации кристалла, но это не решает её кардинально.

Внутренняя квантовая эффективность (IQE) синего микросветодиода 20 мкм и 10 мкм варьируется в зависимости от плотности тока.

В KOPTI поясняют, что исследовательская группа снизила деформацию эпитаксиального слоя и повысила эффективность излучения света, внедрив новую структуру. Эта новая структура подавляет колебания физических напряжений микросветодиода под действием любого внешнего электрического поля или структуры. В результате, даже при меньшем размере микросветодиода, новая структура значительно снижает потери на поверхностную безызлучательную рекомбинацию, сохраняя при этом высокую эффективность излучения света без необходимости пассивации.

Команда успешно проверила применение эффективной и точной технологии микросветодиодов в устройствах синего, зелёного и красного цветов на основе нитрида галлия. В будущем эта технология может использоваться для создания полноцветных микросветодиодов на основе нитрида галлия.