Glede na nedavna poročila južnokorejskih medijev je Korejski inštitut za fotonsko tehnologijo (KOPTI) napovedal uspešen razvoj učinkovite in fine tehnologije mikro LED. Notranja kvantna učinkovitost mikro LED se lahko vzdržuje v območju 90 %, ne glede na velikost čipa ali različne gostote toka vbrizgavanja.

Slika krivulje toka in napetosti ter emisije 20μm mikro LED (vir slike: KOPTI)

To tehnologijo mikro LED so skupaj razvili ekipa dr. Jong hyupa Baeka z oddelka za optične polprevodniške zaslone, ekipa ZOGAN Semi pod vodstvom dr. Woong ryeola Ryuja in profesor Jong in Shim z oddelka za nano-optoelektroniko Univerze Hanyang. Izdelek obravnava problem hitrega zmanjševanja učinkovitosti oddajanja svetlobe v mikro LED diodah zaradi krčenja velikosti čipov in povečanih tokov vbrizgavanja.

Ugotovljeno je bilo, da mikro LED diode velikosti manjše od 20 μm ne le hitro zmanjšujejo učinkovitost oddajanja svetlobe, temveč kažejo tudi znatne izgube zaradi neradiativne rekombinacije v območju nizkih tokov (od 0,01 A/cm² do 1 A/cm²), ki so potrebni za krmiljenje zaslonskih plošč. Trenutno industrija to težavo delno omili s postopki pasivizacije na strani čipa, vendar je v bistvu ne reši.

Notranja kvantna učinkovitost (IQE) modre mikro LED diode z valovno dolžino 20 μm in 10 μm se spreminja glede na gostoto toka.

KOPTI pojasnjuje, da je raziskovalna skupina z uvedbo nove strukture zmanjšala napetost v epitaksialni plasti in izboljšala učinkovitost oddajanja svetlobe. Ta nova struktura zavira nihanja fizičnih napetosti mikro LED diode pod katerim koli zunanjim električnim poljem ali strukturo. Posledično nova struktura, tudi pri manjši velikosti mikro LED diode, znatno zmanjša izgube zaradi neradiativne rekombinacije na površini, hkrati pa ohranja visoko učinkovitost oddajanja svetlobe brez potrebe po postopkih pasivizacije.

Ekipa je uspešno potrdila uporabo učinkovite in fine mikro LED tehnologije v modrih, zelenih in rdečih napravah iz galijevega nitrida. V prihodnosti ima ta tehnologija potencial za izdelavo barvnih mikro LED zaslonov iz galijevega nitrida.