Podle nedávných zpráv jihokorejských médií oznámil Korejský institut fotonické technologie (KOPTI) úspěšný vývoj účinné a jemné technologie mikro LED. Vnitřní kvantová účinnost mikro LED může být udržována v rozmezí 90 % bez ohledu na velikost čipu nebo různé hustoty vstřikovacího proudu.

Křivka proudu a napětí a snímek emise 20μm mikro LED (zdroj obrázku: KOPTI)

Tuto technologii mikro LED vyvinul tým Dr. Jong-hyupa Baeka z katedry optických polovodičových displejů, tým ZOGAN Semi vedený Dr. Woong-ryeolem Ryuem a profesor Jong-in-Shim z katedry nano-optoelektroniky Univerzity Hanyang. Produkt řeší problém rapidně klesající účinnosti vyzařování světla u mikro LED diod v důsledku zmenšování velikosti čipů a zvyšování vstřikovacích proudů.

Bylo zjištěno, že mikro LED diody o velikosti menší než 20 μm nejenže prudce klesají ve své účinnosti vyzařování světla, ale také vykazují značné ztráty neradiační rekombinací v rozsahu nízkých proudů (0,01 A/cm² až 1 A/cm²), které jsou potřebné pro napájení zobrazovacích panelů. V současné době průmysl tento problém částečně zmírňuje pasivačními procesy na straně čipu, ale zásadně to problém neřeší.

Vnitřní kvantová účinnost (IQE) modrých mikro LED o délce 20 μm a 10 μm se mění v závislosti na hustotě proudu.

Společnost KOPTI vysvětluje, že výzkumný tým snížil napětí v epitaxní vrstvě a zlepšil účinnost vyzařování světla implementací nové struktury. Tato nová struktura potlačuje změny fyzického napětí mikro LED diody vlivem jakéhokoli vnějšího elektrického pole nebo struktury. Výsledkem je, že i při menší velikosti mikro LED diody nová struktura výrazně snižuje ztráty povrchové neradiační rekombinace a zároveň si zachovává vysokou účinnost vyzařování světla bez nutnosti pasivačních procesů.

Tým úspěšně ověřil použití efektivní a jemné technologie Micro LED v modrých, zelených a červených zařízeních z nitridu galia. V budoucnu má tato technologie potenciál pro výrobu plnobarevných displejů Micro LED z nitridu galia.