No rezenten Berichter aus südkoreanesche Medien huet de Korea Photonics Technology Institute (KOPTI) déi erfollegräich Entwécklung vun enger effizienter a feiner Micro-LED-Technologie ugekënnegt. Déi intern Quanteeffizienz vun der Micro-LED kann an engem Beräich vun 90% gehale ginn, onofhängeg vun der Chipgréisst oder verschiddenen Injektiounsstroumdichten.

20μm Micro LED Stroum-Spannungskurve an Emissiounsbild (Bildkredit: KOPTI)

Dës Micro-LED-Technologie gouf zesumme vum Team vum Dr. Jong-hyup-Baek aus dem Departement fir optesch Semiconductor-Display, dem ZOGAN Semi-Team ënnert der Leedung vum Dr. Woong-ryeol-Ryu a vum Professer Jong-in-Shim aus dem Departement fir Nano-Optoelektronik vun der Hanyang Universitéit entwéckelt. D'Produkt adresséiert d'Problem vun der séier ofhuelender Liichtemissiounseffizienz a Micro-LEDs wéinst schrumpfender Chipgréissten an erhéichten Injektiounsstréim.

Et gouf festgestallt, datt Mikro-LEDs mat enger Gréisst ënner 20 μm net nëmmen eng séier Ofsenkung vun der Liichtemissiounseffizienz erliewen, mä och bedeitend net-radiativ Rekombinatiounsverloschter am niddrege Stroumberäich (0,01 A/cm² bis 1 A/cm²) opweisen, deen fir d'Undriff vun Displaypanele gebraucht gëtt. Aktuell reduzéiert d'Industrie dëst Problem deelweis duerch Passivéierungsprozesser op der Chipsäit, awer et léist de Problem net fundamental.

Déi intern Quanteeffizienz (IQE) vun der 20μm an 10μm bloer Micro-LED variéiert jee no der Stroumdicht.

KOPTI erkläert, datt d'Fuerschungsteam d'Spannung an der epitaktischer Schicht reduzéiert an d'Liichtemissiounseffizienz verbessert huet, andeems eng nei Struktur implementéiert gouf. Dës nei Struktur ënnerdréckt déi physikalesch Stressvariatioune vun der Micro LED ënner all externen elektresche Felder oder Strukturen. Dofir reduzéiert déi nei Struktur, och mat enger méi klenger Micro LED Gréisst, d'Verloschter duerch net-radiativ Rekombinatioun op der Uewerfläch däitlech, während eng héich Liichtemissiounseffizienz ouni Passivatiounsprozesser behalen gëtt.

D'Team huet d'Uwendung vun enger effizienter a feiner Micro-LED-Technologie a bloen, galliumnitridgréngen a rouden Apparater erfollegräich validéiert. An der Zukunft huet dës Technologie de Potenzial, fir vollfaarweg Galliumnitrid-Micro-LED-Displays ze produzéieren.