Згодна з нядаўнімі паведамленнямі паўднёвакарэйскіх СМІ, Карэйскі інстытут фатонічных тэхналогій (KOPTI) абвясціў аб паспяховай распрацоўцы эфектыўнай і высокадакладнай тэхналогіі мікрасвятлодыёдаў. Унутраная квантавая эфектыўнасць мікрасвятлодыёдаў можа падтрымлівацца ў межах 90%, незалежна ад памеру чыпа або рознай шчыльнасці току ўпырску.

Крывая току-напружання і выява выпраменьвання мікрасвятлодыёда 20 мкм (крывія выявы: KOPTI)

Гэтая тэхналогія мікрасвятлодыёдаў была сумесна распрацавана камандай доктара Чон Х'юпа Бэка з кафедры аптычных паўправадніковых дысплеяў, камандай ZOGAN Semi пад кіраўніцтвам доктара Вунг Рыёля Рю і прафесарам Чон Ін Шымам з кафедры нанааптаэлектронікі Ханьянскага ўніверсітэта. Прадукт вырашае праблему хуткага зніжэння эфектыўнасці выпраменьвання святла ў мікрасвятлодыёдах з-за памяншэння памераў чыпа і павелічэння токаў інжэкцыі.

Было ўстаноўлена, што мікрасвятлодыёды памерам менш за 20 мкм не толькі хутка зніжаюць эфектыўнасць выпраменьвання святла, але і дэманструюць значныя страты на невыпраменьвальную рэкамбінацыю ў дыяпазоне нізкіх токаў (ад 0,01 А/см² да 1 А/см²), неабходных для кіравання дысплейнымі панэлямі. У цяперашні час прамысловасць часткова вырашае гэтую праблему з дапамогай працэсаў пасівацыі на баку чыпа, але гэта не вырашае праблему кардынальна.

Унутраная квантавая эфектыўнасць (IQE) сініх мікрасвятлодыёдаў 20 мкм і 10 мкм змяняецца ў залежнасці ад шчыльнасці току.

KOPTI тлумачыць, што даследчая група знізіла напружанне ў эпітаксіяльным пласце і палепшыла эфектыўнасць выпраменьвання святла, укараніўшы новую структуру. Гэтая новая структура падаўляе змены фізічных напружанняў мікрасвятлодыёда пад уздзеяннем любога знешняга электрычнага поля або структуры. У выніку, нават пры меншым памеры мікрасвятлодыёда новая структура значна зніжае страты паверхні на невыпраменьвальную рэкамбінацыю, захоўваючы пры гэтым высокую эфектыўнасць выпраменьвання святла без неабходнасці працэсаў пасівацыі.

Каманда паспяхова пацвердзіла прымяненне эфектыўнай і дакладнай тэхналогіі мікрасвятлодыёдаў у сініх, зялёных і чырвоных прыладах з нітрыду галію. У будучыні гэтая тэхналогія мае патэнцыял для стварэння паўнакаляровых дысплеяў з мікрасвятлодыёдаў на аснове нітрыду галію.