Güney Kore medyasının son haberlerine göre, Kore Fotonik Teknoloji Enstitüsü (KOPTI), verimli ve hassas Mikro LED teknolojisinin başarılı bir şekilde geliştirildiğini duyurdu. Mikro LED'in dahili kuantum verimliliği, çip boyutundan veya farklı enjeksiyon akımı yoğunluklarından bağımsız olarak %90 aralığında korunabiliyor.

20μm Mikro LED akım-gerilim eğrisi ve emisyon görüntüsü (görüntü kaynağı: KOPTI)

Bu Mikro LED teknolojisi, Optik Yarı İletken Ekran Bölümü'nden Dr. Jong Hyup Baek'in ekibi, Dr. Woong Ryeol Ryu liderliğindeki ZOGAN Semi ekibi ve Hanyang Üniversitesi Nano-Optoelektronik Bölümü'nden Profesör Jong in Shim tarafından ortaklaşa geliştirildi. Ürün, küçülen çip boyutları ve artan enjeksiyon akımları nedeniyle Mikro LED'lerde ışık emisyon verimliliğinin hızla azalması sorununu ele alıyor.

20 μm'den küçük Mikro LED'lerin, ışık emisyon verimliliğinde hızlı bir düşüş yaşamasının yanı sıra, ekran panellerini çalıştırmak için gereken düşük akım aralığında (0,01 A/cm² ila 1 A/cm²) önemli radyasyon dışı rekombinasyon kayıpları da sergilediği tespit edilmiştir. Endüstri, şu anda çip tarafında pasifleştirme işlemleriyle bu sorunu kısmen hafifletiyor, ancak bu, sorunu temelden çözmüyor.

20μm ve 10μm mavi Mikro LED'in dahili kuantum verimliliği (IQE), akım yoğunluğuna göre değişir

KOPTI, araştırma ekibinin epitaksiyel tabakadaki gerilimi azalttığını ve yeni bir yapı uygulayarak ışık emisyon verimliliğini artırdığını açıklıyor. Bu yeni yapı, Mikro LED'in herhangi bir harici elektrik alanı veya yapı altında maruz kaldığı fiziksel gerilim değişimlerini bastırıyor. Sonuç olarak, daha küçük bir Mikro LED boyutunda bile, yeni yapı, pasifleştirme işlemlerine gerek kalmadan yüksek ışık emisyon verimliliğini korurken yüzeydeki radyasyon dışı rekombinasyon kayıplarını önemli ölçüde azaltıyor.

Ekip, verimli ve hassas Mikro LED teknolojisinin mavi, galyum nitrür yeşil ve kırmızı cihazlarda uygulanmasını başarıyla doğruladı. Gelecekte, bu teknoloji tam renkli galyum nitrür Mikro LED ekranlar üretme potansiyeline sahip.